新型低角度イオンミリング走査電子顕微鏡HAXISの販売開始について

新型低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」の販売開始

日本電子株式会社は、2026年10月5日から新型の低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」を販売します。この革新的な装置は、先端半導体技術が直面する微細化・複雑化の問題に挑戦するものです。

開発の背景

近年、先端半導体製品のデバイス構造がますます複雑化しており、ナノマニピュレーターを使用した接触測定が困難になっています。さらに、従来のプロービング手法では解析対象に悪影響を及ぼすリスクが高まり、新しい不良解析手法の必要性が求められてきました。

日本電子はこの課題に対処すべく、長年にわたり電位コントラスト（PVC：Passive Voltage Contrast）検出技術を研究してきました。検出器と試料前処理技術を高度化させ、より安定かつ再現性の高いPVC観察が可能な技術を確立しました。

HAXISの特長

HAXISでは、この技術を駆使し、先端半導体でも鮮明かつ再現性の高いPVC観察を実現します。装置の主な特長は以下の通りです。
1. 鮮明なPVC観察：深い電位情報を視覚的に捉えることができ、迅速な不良解析を可能にします。
2. 低運用コスト：不活性ガスであるアルゴン（Ar）を使用し、安定した加工品質と経済性を両立しています。
3. 低ダメージ剥離加工：独自のLIM（Low-Angle Ion Milling）法により、試料表面へのダメージを最小限に抑えながら、平坦な加工面を形成します。これにより、複雑なデバイスにおいても電位情報を保持したまま観察が可能です。

さらに、剥離と観察を繰り返し行うことで、複雑なデバイスの故障解析に対する多角的アプローチが可能となります。これにより解析のスピードと精度が向上し、QTAT（Quick Turnaround Time）の実現が期待されています。