STマイクロエレクトロニクス、低抵抗パワーMOSFETの新シリーズを発表

新型低抵抗パワーMOSFET発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM）は、最近新しい低抵抗パワーMOSFETシリーズ、「Smart STripFET F8」テクノロジーを発表しました。この新シリーズは、電力供給アプリケーションにおいて消費電力と基板面積を削減することを目的としています。特に、車載機器の配電やバッテリ管理といった限られたスペースでの使用に最適な設計となっています。

最初にラインアップに加わった製品、STL059N4S8AGは、非常に低い0.59mΩのオン抵抗を持ち、サイズはPowerFLAT 5 x 6パッケージで、電圧40V、電流420AのNチャネルエンハンスメントモードMOSFETです。この小型パッケージによって基板面積の削減が実現され、小型の制御モジュール設計がシンプルになります。その上、高い熱伝導性と電力効率は、厳しい信頼性要件にも対応可能です。また、最高動作温度は175°Cに達し、変化する環境条件にも適応します。

この新しいパワーMOSFETは、AEC-Q101に準拠した車載対応品として提供され、自動光学検査に対応したウェッタブル・フランク・パッケージを採用しています。

STのSmart STripFET F8テクノロジーは、従来のSTripFET F8を基にし、トレンチゲートが改良されています。これにより、オン時の特性やサイズ効率がさらに強化され、特に導通損失を最小限に抑えることでエネルギー効率の向上に寄与します。この製品は、大電流用の電力配分に高い効果を発揮し、STi²Fuse VIPowerゲート・ドライバと組み合わせることで、PCB回路基板やコネクタ、配線の保護も行えます。

本技術は、車載アプリケーションにおける消費電力を減少させ、結果としてバッテリーから車載システムへのエネルギー供給を効率化します。これにより走行距離の延長にも貢献します。また、バッテリーマネージメントシステム（BMS）では、低オン抵抗によりバッテリーの充放電効率を高めています。

STL059N4S8AGは現在量産中で、価格およびサンプル提供についてはSTのセールスオフィスまたは販売代理店に直接問い合わせる必要があります。さらに、現在開発中の製品として、電流定格350A、オン抵抗0.75mΩの「STL075N4S8AG」や、780A、オン抵抗0.35mΩの「STK035N4S8AG」も近くリリースされる予定です。

STマイクロエレクトロニクスについて

STマイクロエレクトロニクスは、約48,000名の従業員を持つ世界的な半導体メーカーで、多様なサプライチェーンと最先端の製造能力を備えています。20万社以上のお客様と、数千社のパートナー企業と連携し、半導体ソリューションの開発や持続可能な社会の構築に力を入れています。STの企業理念は、スマートモビリティの実現や、エネルギー管理の効率化、そして市場における自律デバイスの普及です。

さらに、STは、すべての直接・間接排出のカーボンニュートラル達成を目指し、2027年末までに再生可能エネルギーの使用を100%にする計画を進めています。詳細情報はSTの公式ウェブサイト（http://www.st.com）で確認できます。