次世代自動車とデータセンタを支えるSiC/GaN技術セミナー開催

次世代自動車とデータセンタを支えるSiC/GaN技術セミナー

2025年6月11日（水）、シーエムシー・リサーチ主催のセミナーが開催されます。このセミナーのテーマは「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」。講師には筑波大学の岩室憲幸教授を招待し、最新の技術動向や市場環境について解説を行います。

セミナーの概要

開催日時: 2025年6月11日（水） 13:30～16:30
受講料: 一般：55,000円（税込）、メルマガ会員：49,500円（税込）、アカデミック価格：26,400円（税込）
対象者: パワーエレクトロニクス愛好者、開発担当者、パワーデバイス関連企業の方々

これからの時代、電動化が進む自動車やAI技術に支えられたデータセンタの電力効率化が重要視されています。このセミナーでは、トピックとして、

- データセンタ用の電源やxEVのパワーデバイスについて
- 最新のSi、SiC、GaNデバイスの技術動向
- それぞれのデバイスが抱える課題

などが取り上げられます。特にSiC/GaNパワーデバイスの現在の技術状況と、今後の展望について深く掘り下げる内容となっています。

セミナーの目的

昨今の自動車業界は、2030年代にはガソリン車の新車販売が禁止される見通しであり、電動車両（xEV）の導入が急速に進んでいます。一方、データセンタは急増するデータ処理の需要に応えるため、電源の高効率化が喫緊の課題です。そのため、SiCやGaNといった新しい材料による高性能パワーデバイスの普及が強く期待されていますが、依然として市場の要求に応えられる状況にはありません。本セミナーでは、これらの課題に関し、実技と理論を交えて参加者に理解を深めてもらうことを目的としています。

セミナープログラムの内容

1. パワーエレクトロニクスの基礎

- パワーデバイスの仕事と種類
- 適用分野
- 高周波動作のメリット

2. 最新のシリコンパワーデバイスの発展

- 特性向上の挑戦と開発
- 我が国のシリコンデバイスの現状

3. SiCパワーデバイスの現状

- SiCの利点及びプロセス
- 普及拡大に向けた技術

4. GaNパワーデバイスの現状

- GaNデバイスの特性
- 現在の課題とその対策

5. 高温対応の実装技術

- 高温動作がもたらす利点とその実装方法

申し込み方法

セミナー参加をご希望の方は、シーエムシーリサーチのウェブサイトから申し込みが可能です。参加者には後日、視聴用のURLがメールで送られます。なお、受講中の録音・撮影等は禁止されていますのでご注意ください。

これは、パワーエレクトロニクス業界における未来の責任者や技術者にとって、非常に貴重な学びの機会です。ぜひご参加をお待ちしております。