ロームが誇る第4世代IGBT、650V耐圧を達成し自動車用に最適化

ロームが開発した第4世代IGBTの魅力

ローム株式会社が新たに開発した650V耐圧の第4世代IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は、自動車（特に電動コンプレッサやHVヒーター）や産業機器向けのインバータに最適化されています。この製品は業界トップクラスの低導通損失であるVCE(sat)＝1.55Vを実現しており、信頼性規格であるAEC-Q101にも準拠しています。

開発の経緯と重要性

昨今の電気自動車の普及が進む中、高電圧化が進んでいます。特に、主機インバータなどの大電力を扱うアプリケーションでは、SiC（炭化ケイ素）デバイスが注目されていますが、自動車の補機類では650V耐圧のIGBTが広く使われています。また、産業分野でもモーターやコンプレッサなどにシリコンIGBTが多く採用されています。これらのアプリケーションでは、省エネルギーや小型化が求められています。

ロームは、約25℃において7マイクロ秒という高短絡耐量を実現することで、スイッチングデバイスとしての信頼性を確保しました。これは、短絡時における過電流を検知し、遮断するまでの時間に耐えられる重要な特性です。これらの課題を解決するために、ロームはデバイス構造を見直し、低損失特性と高短絡耐量を両立したIGBTの開発に成功しました。

製品ラインアップと販売

新たに発表された650V耐圧の「RGAシリーズ」は、TO-247Nパッケージの「RGAxxTS65HR」および「RGAxxTS65EHR」など12機種と、ベアチップの「SG83xxWN」10機種が展開されています。さらに、TO-247-4Lパッケージの「RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR」グループも開発中です。2026年5月より月産100万個の体制で量産を開始する予定で、サンプル価格は1,300円（税抜）となっています。

これらの製品は、ROHM Online StoreやArrow.com、Core Staff Onlineなどのネットショップでも購入可能です。加えて、ロームの公式ウェブサイトでは、各種デザインモデルや回路設計に必要な資料をダウンロードすることができます。