三菱電機が新しい第5世代SiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始

三菱電機、新SiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始

三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）向けに特化した新たなSiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始しました。この新チップは、業界トップクラスの低オン抵抗を特徴とし、xEVのパフォーマンス向上や小型化に寄与することが期待されています。

新しいSiC-MOSFETの特長

新開発の第5世代SiC-MOSFETチップは、三菱電機が独自に採用したトレンチ構造によって製造されています。この構造の採用により、従来のモデルと比較して約25％のオン抵抗低減を実現し、これがxEV用インバーターの性能向上に直結することが期待されています。今後のxEV市場において、このチップは航続距離の延長や電費の改善に大きく貢献するでしょう。

xEV市場での期待

最近の脱炭素社会の実現に向けた動きに伴い、パワー半導体の需要は急速に拡大しています。特に自動車産業では、温室効果ガスの削減を目指した電動化の流れが進んでおり、パワー半導体の重要性がますます高まっています。中でも、SiCパワー半導体は電力損失を大幅に軽減できることから、その期待値は非常に高いです。

三菱電機は1997年にxEV用パワー半導体モジュールの量産を開始し、その後も多くの技術革新を通じて市場におけるプレゼンスを高めてきました。今回の新チップの導入も、この流れの一環と言えます。従来の製品から進化を遂げ、より高効率かつ小型な電力変換デバイスとして、多様な電動車両に導入される予定です。

展示会への参加

この新しいSiC-MOSFETチップは、2026年にドイツで開催される「PCIM Expo & Conference」に出展予定です。展示会は、最新のパワーエレクトロニクス技術が一堂に会する場であり、世界中の技術者や企業が集まります。三菱電機にとっても、新製品を通じて国際的なフィードバックを得る貴重な機会です。

将来展望

三菱電機は今後も、xEVだけでなく、様々なパワーエレクトロニクス機器のエネルギー効率を向上させるために、独自の製造プロセス技術を活用していくと表明しています。高品質なSiC-MOSFETチップの提供を拡大し、持続可能なエネルギー社会の実現に向けて貢献していく方針です。

製品情報

この新しいSiC-MOSFETチップは、すでに多くの電動車両やハイブリッド車に採用される見込みがあり、今後の市場において重要な役割を果たすことが期待されます。

電動車両を支える技術が進化する中、三菱電機の新たな取り組みは、パワー半導体市場に新風を巻き起こすことになるでしょう。さまざまな技術革新の先駆者として、この企業の動向には今後も目が離せません。