STマイクロエレクトロニクスが発表した新しいEVパワートレイン用ドライバの革新

STマイクロエレクトロニクスの革新

STマイクロエレクトロニクスがこの度、新しい高性能なEVパワートレインに対応する車載用ガルバニック絶縁型ゲート・ドライバ「STGAP4S」を発表しました。このドライバは、多様な電力定格のインバータを柔軟に制御できるため、多くのEV用途に最適です。ISO 26262 ASIL Dの認定も受けており、信頼性の高いアプリケーション向けに設計されています。

STGAP4Sの特長

STGAP4Sは、SiC MOSFETやIGBTに対応しており、保護機能と診断機能が充実しています。内蔵されたADコンバータとフライバック・コントローラにより、拡張性の高い設計が可能です。このドライバは特に、出力回路における高電圧パワーステージの駆動を効果的に行うことができます。

柔軟な駆動能力

STGAP4Sの革新技術により、最大数十アンペアのゲート駆動電流を小型のパワーMOSFETで生成でき、1200Vの動作電圧にも対応します。これにより、異なる電力定格を持つインバータを一台のドライバで制御し、高出力設計にも対応可能です。

先進的な診断機能

ドライバの重要な機能の一つは、その診断技術です。これによりISO 26262の安全性レベルDに準拠したシステム承認が容易になります。接続の完全性やゲート駆動電圧の検証、さらには内部回路の動作確認を行うセルフチェック機能が含まれています。ホストシステムは、STGAP4SのSPIポートを使って診断ステータスをチェックできます。

強固な保護機能

また、このドライバはアクティブ・ミラー・クランプや低電圧・過電圧によるロックアウト機能 (UVLO、OVLO)、DESAT/過電流/過熱検出なども完備しており、厳しい信頼性要件を満たす設計がなされております。SPIを介してプログラムできる多様な設定可能パラメータを提供し、顧客が自らのニーズに合わせて設計するための柔軟性も持っています。

フライバック・コントローラ

STGAP4Sには、保護されたフライバック・コントローラも内蔵されています。このオプション機能を使用することで、正負のゲート駆動に必要な高電圧の電源を生成し、高効率で高速なSiC MOSFETのスイッチングを実現します。また、ガルバニック絶縁によって、低電圧回路と高電圧回路間に6.4kVの絶縁を確立します。

評価ボード「EVALSTGAP4S」

現在、評価ボード「EVALSTGAP4S」が入手可能となっており、2つのSTGAP4Sドライバが搭載されています。このボードはハーフブリッジのアプリケーションで評価することができ、複数のボードを接続することで三相インバータなどの複雑なトポロジも簡単に評価できます。

量産開始と価格

STGAP4Sは量産中で、ワイドボディのSO-36Wデュアルインライン・パッケージにて提供されます。価格は、1000個単位で購入した際に約4.66ドルとなっています。

STマイクロエレクトロニクスの取り組み

STマイクロエレクトロニクスは、約5万人の従業員を擁し、最先端の製造施設を持つグローバルな半導体企業です。持続可能な社会の実現に向けた半導体ソリューションの提供に注力し、エコシステムの構築を進めています。特に、カーボンニュートラルの達成へ向けた取り組みには積極的であり、2027年までに再生可能エネルギーの使用率を100%にする計画を立てています。

詳細はSTマイクロエレクトロニクスのウェブサイトをご覧ください。

会社情報