三菱電機が新しいパワー半導体「HVIGBTモジュールS1シリーズ」を発売

三菱電機、新型パワー半導体「HVIGBTモジュールS1シリーズ」を発表

三菱電機株式会社は、鉄道車両や直流送電などの大型産業機器向けに設計されたパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールS1シリーズ」を、2023年12月26日から発売します。この新モジュールは、耐電圧1.7kVを持ち、特に大型産業機器におけるインバーターの信頼性と効率性を高めることを目的としています。

脱炭素社会に向けた需要の高まり

近年、パワー半導体は脱炭素社会の実現に向けたキーデバイスとしての役割が求められています。特に鉄道車両や電源装置などで使用されるパワー半導体モジュールは、電力変換効率を向上させることが急務です。三菱電機は、1997年に耐電圧1.7kVのパワー半導体「HVIGBTモジュール」を初めて市場に送り出し、それ以来、鉄道業界や工業分野で高い評価を得ています。

新たに導入される「HVIGBTモジュールS1シリーズ」は、独自のRFCダイオードを搭載しており、従来製品と比較してRRSOA耐量（逆回復時安全動作領域における耐量）を2.2倍にまで拡大しています。この機能により、インバーターの信頼性が一段と向上し、電力損失も低減されることが期待されています。

新しい構造で高効率化

さらに、この新シリーズではCSTBT構造を採用したIGBT素子を使用しています。この先進的な技術により、電力損失と熱抵抗も改善され、インバーターの全体的な効率を高めることが見込まれています。この技術革新により、様々な電力関連製品への適用が可能となり、設計の自由度が増すことも大きなポイントです。

また、絶縁耐電圧も従来製品比1.5倍の6.0kVrmsに向上させており、これによりインバーター内部でのショートや漏電のリスクが減少し、より高い安全性を実現しています。この改良によって、鉄道車両や直流送電システムにおいて、より高性能なインバーターを設計しやすくなることが期待されています。

開発期間の短縮にも寄与

インバーターの開発において、従来製品と外形サイズが同一であることも重要な要素です。新たなHVIGBTモジュールは、既存の製品と完全に互換性を持ち、これにより開発期間の短縮も可能になります。業界のニーズにいち早く応える形で製品を瑕疵なく供給できることが、三菱電機の強みと言えるでしょう。

三菱電機グループは、100年以上の歴史を持ち、様々な分野で技術革新を進めています。今後もサステナビリティを考慮し、持続可能で機能的な製品を提供し続ける事を目指しています。新たな「HVIGBTモジュールS1シリーズ」は、その一環として大きな注目を集めています。

お問い合わせやさらなる情報については、三菱電機の公式ウェブサイトをご確認ください。