次世代自動車とデータセンタ用SiC/GaNパワーデバイス技術を学ぶセミナー開催

次世代自動車とデータセンタ用サーバ電源高性能化セミナー

2025年12月8日（月）に、シーエムシー・リサーチ主催のセミナーが開催されます。このセミナーは、次世代自動車におけるSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題をテーマにしています。

セミナーの詳細

- 日時: 2025年12月8日（月）10:30～16:30
- 形式: Zoom配信（資料付）
- 講師: 岩室憲幸氏（筑波大学数理物質系物理工学域教授）
- 受講料:

- 一般: 55,000円（税込）
- メルマガ会員: 49,500円（税込）
- アカデミック: 26,400円（税込）

参加者は、最新のSiC/GaNデバイス技術やその実装方法について学ぶことができ、高性能化に向けた課題を理解することが期待されます。

セミナーの背景

近年、自動車業界では電動化が急速に進んでおり、世界各国が2030年代にはガソリン車の新車販売禁止を進めています。また、データセンターの建設も盛んであり、それに伴い電力消費の効率化が求められています。こうした潮流の中で、SiC/GaNパワーデバイスは高性能化のための重要な技術として注目されています。

本セミナーでは、SiC/GaNパワーデバイスの最新技術やその市場における競争力について解説し、シリコンデバイスとの相対的な立ち位置も考慮に入れた内容になる予定です。

セミナー内容

本セミナーでは、以下のような知識を得ることができます：

- データセンタ用電源や電動車両（xEV）におけるパワーデバイスの使用法
- Si、SiC、GaNデバイスの進展とそれに伴う設計およびプロセス技術
- 高効率化が求められるサーバ用電源の課題と解決策

対象者

- パワーエレクトロニクスの開発担当者
- パワーデバイス開発担当者
- パワーエレクトロニクス機器の販売担当者
- パワーデバイスの販売担当者

講師紹介

講師は筑波大学の岩室憲幸教授です。1998年に博士（工学）を取得し、パワーデバイス分野での研究と実務経験が豊富です。これまでの活動および著書には、SiC/GaNパワー半導体の技術やその設計、産業応用に関するものがあり、専門的な知識を持つ教授が解説を行います。

参加方法

参加をご希望の方は、シーエムシー・リサーチの指定サイトから申し込みを行ってください。申し込み後、視聴用のURLが送られます。セミナー当日はZoomを使用してのライブ配信となります。

このセミナーは、次世代の自動車技術やデータセンターの電源関連の知識を深めるために欠かせないものであり、多くの方に参加していただきたいイベントです。