2026年テクノフロンティア展示会で新素材ルチル型二酸化ゲルマニウムを発表

2026年テクノフロンティア展に出展のご案内

Patentix株式会社は、2026年7月15日から17日まで、東京ビッグサイトで開催される『テクノフロンティア2026 パワーエレクトロニクス技術展』に出展します。本展示会では、パワーデバイスや電子部品、モジュール、応用機器、設計・製造に関わる最新技術が一堂に集まります。

今回の出展では、当社が開発した次世代パワー半導体素材であるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）について紹介し、世界初の6インチGeO₂ on Si基板サンプルを展示いたします。この新素材は、データセンターの膨大な電力消費とそれに伴う熱冷却の問題に対する解決策としての期待が高まっており、特に高電圧供給に優れた特性を持つため、パワー半導体において注目されています。

近年、生成AIの急速な普及によりデータセンターでは、エネルギー効率の向上が求められています。その中で、SiCデバイスやGaNデバイスといったワイドバンドギャップ半導体の普及が進んでいますが、新たな半導体材料としてのルチル型二酸化ゲルマニウムが次の波として注目されています。テクノフロンティアでは、その材料の優位性と社会への実装に向けた取り組みを広く展示し、業界の関係者の方々に多くの方に見ていただきたいと考えています。

出展内容の一つとして、GeO₂チップとTO247パッケージに実装されたデバイスサンプルも展示を予定しています。こちらはシーマ電子様のご提供によるサンプルで、具体的な用途や性能についても詳しくご説明いたします。この機会に、最新技術のデモとともに、当社の今後の開発予定についてもお話しできればと考えております。

特に、6インチのGeO₂ on Si基板は『世界初』となるため、多くの業界関係者の皆様にその目で直接見て、感じていただければと思います。

当社ブースはブース番号1P29です。皆様のご来場を心よりお待ちしております。