UJ-Crystalが超高耐圧SiC半導体の開発を加速するための資金調達を発表

UJ-Crystalが超高耐圧SiC半導体開発に挑戦

名古屋大学発のベンチャー企業、株式会社UJ-Crystal（UJ-Crystal）は、最近行った第三者割当増資によって総額4.3億円の資金を調達しました。事業を進める中での資金調達は、同社が現在進行中の超高耐圧p型SiC半導体基盤用ウェハの開発を促進する重要なステップです。受け入れ先としてSBIインベストメント、京都大学イノベーションキャピタル、地域と人と未来株式会社を含む機関投資家が名を連ねています。

資金の使途と必要性

UJ-Crystalが調達した資金は、主に超高耐圧p型SiC基板用ウェハの開発に使われます。この半導体は、AIやデータセンターの普及に伴い増加する電力需要に応えるための次世代パワーシステムに欠かせない技術です。現在、再生可能エネルギーへの移行は急務であり、その中で新たな電力配分システムの技術革新が求められています。

HVDC（長距離高電圧直流送電）、STATCOM（静的同期補償器）、SST（固体トランスフォーマー）などの次世代デバイスは、従来の送配電システムを革新し、さらなる効率化を実現します。UJ-Crystalは、これらの技術を支える超高耐圧p型SiC基板の実現を目指して、AIデジタルツインを活用したシミュレーション技術を駆使し、開発を加速させています。

溶液成長法の優位性

UJ-Crystalの独自技術である溶液成長法は、従来の昇華法と比較してp型SiC基板の高品質な製造を可能にします。この技術は、名古屋大学の宇治原研究室での研究成果を基にしており、NEDOのグリーンイノベーション基金からも支援を受けています。開発には、株式会社オキサイドパワークリスタル、マイポックス株式会社などが協力しており、共同研究の成果が期待されています。

投資家の反応

今回の資金調達に関して、引き受け先の投資家たちはUJ-Crystalに多大な期待を寄せています。SBIインベストメントの松本祐典氏は、「宇治原代表が20年以上追求してきたSiC結晶技術は、いよいよ社会実装の段階に入った」と語ります。また、京都大学イノベーションキャピタルの八木信宏氏は、宇治原氏の技術がゲームチェンジャーになると確信しています。

地域と人と未来株式会社の藤田豪氏は、UJ-CrystalがAI時代の電力問題に真正面から取り組む姿勢を高く評価し、CJSファンドとして全力で支援する意向を示しました。