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STマイクロエレクトロニクス（ST）は、最新の技術を駆使して新しい高電圧ハーフブリッジ・ゲートドライバの「STDRIVEG610」と「STDRIVEG611」を発表しました。これらの製品は、電力変換とモーション制御アプリケーションに最適化されており、高効率、電力密度、堅牢性を兼ね備えています。

STDRIVEG610とSTDRIVEG611の特徴

STDRIVEG610は、特に起動時間が重要なアプリケーション向けに設計されており、300ナノ秒という極めて迅速な起動に対応しています。これは、LLCやACFなどのコンバータートポロジにおいて、バーストモードでのターンオフ間隔の正確な制御が可能です。一方、STDRIVEG611は、モーション制御のハードスイッチング専用に最適化されています。ハイサイドの低電圧ロックアウト機能やスマートシャットダウンによる過電流保護機能を備え、さらなる安全性を確保しています。

両製品は、ハードスイッチングとソフトスイッチング両方のトポロジーに対応しており、組込みインターロック機能により、クロスコンダクションによる貫通電流を防ぎます。STDRIVEG610は、電源アダプタや充電器、力率改善回路の効率を向上させることができます。また、STDRIVEG611は、家電やポンプ、コンプレッサー、産業用サーボドライバなどのデバイスの小型化と信頼性の向上に寄与します。

簡素な設計と強力な保護

設計を容易にするため、両製品はハイサイド・ブートストラップダイオードと6Vのハイサイド/ローサイド・リニアレギュレータを集積しています。大電流対応能力と10ナノ秒未満の伝播遅延時間を特徴としており、最適なドライビングを実現します。さらに、UVLO（低電圧ロックアウト）保護機能が組み込まれており、低効率や危険な状態での動作を防ぐと共に、600V GaNパワースイッチの保護を実現します。

加えて、過熱保護機能により、幅広いdV/dt耐性があります。入力ピンの電圧範囲は3.3V〜20Vと広く、コントローラとのインターフェース回路も簡素化されています。待機時やバーストモードでの電力消費を抑えるためのスタンバイピンや、ケルビンソース駆動用の独立したパワーグランドも装備されています。

コスト削減とコンパクト設計

STDRIVEG610とSTDRIVEG611は、多彩な機能を搭載しているため、周辺部材コストを低減しつつ、小型のQFNパッケージ（4 x 5mm）により設置面積を削減します。これらの製品は現在すでに量産中で、単価は1000個の購入時に約1.56ドルとなっています。

さらに、開発期間の短縮を目的とした評価ボード「EVLSTDRIVEG610Q」と「EVLSTDRIVEG611」も利用可能です。いずれも600V高速ハーフブリッジ・ゲート・ドライバとSTのエンハンスメント・モードGaN HEMT「SGT120R65AL」を搭載し、すぐに利用することができる設定になっています。

STマイクロエレクトロニクスについて

STマイクロエレクトロニクスは、グローバルな半導体メーカーであり、約50,000名の従業員と先進的な製造設備を持っています。20万社以上の顧客と協力しながら、持続可能な社会に向けた半導体ソリューションを開発しています。彼らのテクノロジーは、スマート・モビリティやエネルギー管理の効率化、そしてクラウド接続型自律デバイスの普及を可能にしています。

STはカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを推進しており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用を100%にする計画を掲げています。詳しい情報はSTの公式ウェブサイトをご覧ください。

問い合わせ先：
STマイクロエレクトロニクス株式会社
アナログ・MEMS・センサ製品グループ
東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
TEL: 03-5783-8250

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