STマイクロエレクトロニクスの新しいGaN製品が電力効率を飛躍的に向上させる

STマイクロエレクトロニクスの新しいGaN製品

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM）が、新たに発表した700V PowerGaN製品は、電動化を支える高性能アプリケーション向けに設計された高効率のパワー半導体です。この新製品は、AIサーバの電力消費の増加と、従来のシリコン技術の限界を超える電力変換へのニーズに対応するために開発されました。

PowerGaN製品の特長

新たにラインアップに加わったPowerGaN製品は、高電圧電源での高効率化と高電力密度化を実現します。信頼性を重視したこの製品は、定格電圧が700Vであり、より高い周波数の回路構成にも対応しています。具体的には、低導通損失、スイッチング損失の低減、逆回復電荷ゼロといった特徴から、システム全体の小型化や軽量化、動作温度の低減が可能となります。

これらの性能は、特にロボティクスや産業用電源、さらには発電や送配電、蓄電用スマートグリッドコンバータといったアプリケーションで重要です。STのパワー&ディスクリートサブグループのエグゼクティブ・バイスプレジデントであるMario Aleo氏は、「新たな700V製品をPowerGaNポートフォリオに加えることで、窒化ガリウム技術の利点を中・高電力アプリケーションに広げることができる」と述べています。

技術情報

STの700V PowerGaNシリーズは、7つの新しいGaN HEMTトランジスタを含んでいます。これらは6Aから29Aの連続電流定格を持ち、標準オン抵抗（RDS(on)）は53mΩから270mΩまでが揃っています。GaN技術ならではの低い内部静電容量と低ゲート電荷を持ち、これによりFoM（性能指数）でも従来のシリコン製品を上回る性能を発揮します。

また、これらのトランジスタはMOSFETの代替品として電力変換回路に組み込むことができ、高い周波数での動作を可能にしています。これにより、より小型の磁性部品や受動部品が利用でき、全体としてパワー段のコンパクト化と高電力密度の実現が可能となります。

製品構成

新たに発表された700V PowerGaN製品は、様々なパッケージで提供されます。例えば、SGT350R70GTKは3ピンのDPAKパッケージで提供され、はんだ付け可能な端子を備えています。SGT070R70HTOは26Aの仕様で、熱効率に優れたリードレスTO-LLパッケージで提供されます。さらに、SGT080R70ILBやSGT140R70ILBといった製品もPowerFLATパッケージで利用可能です。

これらの新製品は現在量産中で、STのeStoreや販売代理店から入手できます。購入時の単価は、約0.63ドルから約2.25ドルです。

STマイクロエレクトロニクスについて

STマイクロエレクトロニクスは、約49,000人の従業員を抱え、世界中で半導体メーカーとして知られています。同社は、電力エネルギー管理やスマートモビリティの分野でいくつものソリューションを提供しており、持続可能な社会に向けた取り組みとして、2030年にカーボンニュートラルを達成することを目指しています。

これらの新しいGaN製品の開発は、同社の将来の技術革新に向けた重要なステップであり、電力効率の向上が期待されます。より詳細な情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をチェックしてください。

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