ロームのSiC MOSFETがAIサーバー電源での進化を支える

ローム株式会社が開発した750V耐圧のSiC MOSFETが、最新のAIサーバー向けのバッテリーバックアップユニット（BBU）に採用されました。これは、生成AI技術の普及に伴うAIサーバー電源の高電圧化や、高圧直流給電（HVDC）アーキテクチャへの移行が進む中で、次世代の電源システムを支える重要な要素として注目されています。

AIサーバーの電力供給の課題

最近、データセンターにおける計算能力の増大に伴い、特にGPUの高性能化が進んでいます。この結果、「電力消費」が急激に増加しており、電力供給の効率や安定性が求められています。そこで、送電ロスを抑えることを目的とした高圧直流給電（HVDC）システムの導入が進んでいます。HBVCアーキテクチャは、特に大規模なデータセンターにおいて、必須の技術と言えるでしょう。

この様な電力供給のチェーン内で、BBUやCU（キャパシタユニット）は、異常時におけるシステムの安定性やデータ保護に寄与します。特に、高電圧・大電流の環境においては、機器の耐障害性が一層重要になります。

ローム製SiC MOSFET「SCT4013DLL」

ロームが提供するSiC MOSFET「SCT4013DLL」は、750V耐圧を実現。AIサーバー向け±400V電力供給アーキテクチャにおいて、電源部に搭載されています。このデバイスは、最大ジャンクション温度175℃という高温耐性を持ち、BBU内での安定した動作を可能にしています。将来的には、次世代の800VDC電力供給アーキテクチャでも、同様のローム製SiC MOSFETの応用が考えられています。

特に、異常時における制御の高精度さや低損失に貢献するため、こうしたパワーデバイスの重要性が増しています。特に、瞬時に高電圧と大電流を制御する機能は、AIサーバーの安定性を保証する上で欠かせません。

ロームの今後の展望

ローム社は、今後もAIサーバーやデータセンター市場の成長を見越し、SiCやGaN、シリコンを用いたパワーデバイスの開発をさらに強化する方針です。また、アナログICなどを組み合わせたソリューションを提案することで、電力効率の向上に寄与すると共に持続可能な社会の実現を目指しています。

新しいEcoSiC™ブランド

EcoSiC™というブランドは、シリコンカーバイド（SiC）素材を用いたロームのデバイスを示しています。これは、シリコン（Si）を超える性能を持つとして注目されています。ロームの独自開発による製造工程は、ウエハ製造から品質管理まで一貫しており、SiC技術の進化を支えるリーディングカンパニーとしての立場を確立しています。

ロームの公式ウェブサイトでは、SiCパワーデバイスに関する詳細な資料や、条件指定での製品選定が可能なリソースも公開されており、技術者にとって非常に有益な情報となっています。これらの情報を通じて、AIサーバーやデータセンターにおける電力問題解決の糸口を提供しています。