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Patentix株式会社、応用物理学会で最新研究成果を発表予定

Patentix株式会社、応用物理学会での研究発表について

Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市）は、2026年9月8日から11日まで北海道大学札幌キャンパスで開かれる第87回応用物理学会秋季学術講演会、および9月14日から17日まで開催される2026年International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM 2026）に参加し、ルチル型二酸化ゲルマニウムに関する最新の研究成果を発表することをお知らせします。

応用物理学会にて

第87回応用物理学会秋季学術講演会の概要

- 開催期間：2026年9月8日(火) ~ 11日(金)
- 場所：北海道大学札幌キャンパス & オンライン

この学術会議では、様々な物理学の分野に関する最新の研究がまとめられ、発表されます。Patentix株式会社は、特に21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」において、以下のトピックで講演を行います。

- セッション日：2026年9月9日（水）16:00〜19:00
- 場所：B11（工学部B棟）
- 発表予定:

- 17:00〜17:15「r-GeO2バルク基板上におけるn型導電性膜の形成と評価」
- 講演者：川西健太郎

SSDM 2026にて

SSDM 2026の概要

- 開催期間：2026年9月14日(月) ~ 17日(木)
- 場所：出島メッセ長崎

この国際会議では、固体デバイスと材料に関連する最新の技術開発が紹介され、国際的な研究者やエンジニアの知見が集まります。

Patentix株式会社は以下のセッションで発表を行います:

- セッション日：2026年9月15日(火) 13:15〜14:45
- 場所：Room G（103, 1st Floor）
- 発表予定:

- 13:45〜14:00「Depletion-mode r-GeO2 MOSFETs Fabricated by Selective Area Growth via Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition with Ultrasonic Transducers」
- 講演者：K. Norimatsu
- 14:00〜14:15「Formation and Evaluation of n-type Conductive Films on r-GeO2 Bulk Substrates」
- 講演者：K. Kawanishi

これらの講演では、最先端の技術を駆使した研究成果が発表され、参加者との活発な意見交換が期待されています。Patentix株式会社の研究者たちは、業界のトレンドに密接に関連した新たな半導体材料の特性や応用についても触れ、専門家同士のネットワーキングを図ります。

これからの開催に向けて、各種セッションや発表がどのように展開されるのか、業界の注目が集まります。Patentix株式会社は、今回の学会を通じて自社の技術力をアピールし、次世代の半導体産業に貢献していく考えです。

私たちは、業界の発展と技術革新に向けて、今後の取り組みを続けてまいります。皆様のご参加を心よりお待ちしております。