先進的なGaNテクノロジーを搭載した新パワーIC「MasterGaN6」登場

先進的なGaNテクノロジーを搭載した新パワーIC「MasterGaN6」

STマイクロエレクトロニクスは、最先端のGaNテクノロジーを活用した新しいパワーIC「MasterGaN6」を発表しました。これは、第2世代MasterGaNハーフブリッジファミリにおける初の製品となります。

MasterGaN6の特徴

この新しいパワーシステムインパッケージ（SiP）は、BCM（Bipolar CMOS DMOS）ドライバと高性能なGaNパワートランジスタを統合しており、特に注目されるのはそのオン抵抗がわずか140mΩであるという点です。この高集積化技術を利用することで、Power ICの機能が大きく向上し、フォルト検出やスタンバイ機能などの専用ピン数が増加しています。

スマートなシステム制御と効率

MasterGaN6は、スマートなシステム制御と消費電力の削減を実現しています。また、LDO（低ドロップアウトレギュレータ）とブートストラップダイオードも内蔵しているため、外付け部品を削減でき、設計の効率化も図れます。これにより、駆動が最適化され、システム全体の効率が向上します。

高速なタイミング技術

このパワーICは、高速のタイミング技術を採用しているため、最小オン時間や伝搬遅延が短く、高周波数での動作が可能です。この技術により、回路面積の最小化も実現しており、コンパクトな設計が可能となります。さらに、ウェイクアップ時間が非常に短いため、バーストモードでの動作が強化され、低負荷時のエネルギー効率も最適化されています。

包括的な保護機能

MasterGaN6は、貫通電流の防止や過熱シャットダウン、超低電圧ロックアウトといった包括的な保護機能を内蔵しており、これにより部材コストの低減や基板の小型化が実現できます。回路レイアウトも簡略化され、設計の容易さが増しています。

幅広い用途

このICは最大10Aの電流を処理する能力があり、充電器、アダプタ、照明用電源、さらには太陽光発電設備用DC-AC小型インバータなど、産業用機器にも幅広く対応。MasterGaN6のハーフブリッジ構成は、さまざまな回路トポロジに最適です。これにより、アクティブクランプフライバックや共振LLC回路、反転出力の降圧コンバータ、力率補正回路など、多岐に渡る応用が見込まれています。