STマイクロエレクトロニクスとInnoscienceがGaN技術開発で新たな協力関係を構築

新たなパートナーシップの誕生

2023年、 STマイクロエレクトロニクス（ST）とInnoscienceは、ガリウムナイトライド（GaN）技術の開発および製造に関する新たな合意を発表しました。この契約により、両社はそれぞれの得意分野を活かし、次世代のパワー半導体市場における競争力を強化することを目指します。

GaN技術の意義

GaN技術は、電力変換やモーション制御において新たなスタンダードを打ち立てる可能性を秘めています。特に、電力損失の大幅な削減が期待されており、小型化や効率化を進めることで、カーボンフットプリントの縮小にも寄与します。そのため、この技術は自動車から再生可能エネルギーに至るまで、幅広い分野で利用されることでしょう。

戦略的協業の内容

両社の合同プロジェクトでは、コンスーマ機器、データセンター、車載用電源システムなど、さまざまなアプリケーションに向けたGaNパワー技術の開発が進められます。STは、ヨーロッパの製造拠点を生かし、一方でInnoscienceは中国の製造拠点を活用することで、より効率的な生産体制を確保します。このように、相互に製造拠点を利用することで、サプライチェーンの弾力性と協調性を高め、顧客のニーズに応える柔軟な製品供給を実現します。

コメントするリーダーたち

STのアナログ･パワー&ディスクリート･MEMS･センサグループの社長、Marco Cassis氏は「この合意を通じて、両社が協力し合うことで、世界中のお客様にとって意味のある成果を生み出す」と述べています。また、Innoscienceの創業者であるWeiwei Luo博士は、GaN技術の重要性に言及し、環境への配慮とコスト削減を両立させるビジョンを描いています。彼は、STとの提携によってGaN技術の市場導入を加速できることに大変期待を寄せています。