オンセミのGaN半導体
2025-11-04 12:09:58

オンセミが発表した縦型GaN半導体がAIと電動化の未来を拓く

オンセミの縦型GaN半導体の革新



最近、オンセミは新たに縦型窒化ガリウム(vGaN)パワー半導体の技術を発表しました。この技術は、AIデータセンターや電気自動車(EV)など、エネルギー集約型アプリケーションに対する急増する需要に応えるものです。この革新により、エネルギーの効率性とパフォーマンスが大幅に向上しました。

高効率と小型化を実現



vGaN技術は、電流を垂直に流すことで、単なる高圧に留まらず、高速スイッチングが可能になります。このアプローチにより、エネルギー損失を約50%もカットでき、EOS(エネルギー損失低減)による発熱も抑えられます。これにより、回路設計のコンパクト化も実現し、特にAIデータセンターでは部品数の削減とコスト効率の向上に繋がります。

オンセミのシラキュースに位置するR&Dチームは、すでに130以上の特許を取得しており、その技術は自社の製造拠点で進化しています。コーポレート戦略を担当するディネッシュ・ラマナーダン(Dinesh Ramanathan)は、縦型GaNが業界のゲームチェンジャーであり、エネルギー効率におけるリーダーシップを強化するものだと強調しています。

市場への影響



エネルギー需要が急激に増加している現在、特に電動化やAIに関連した分野ではこの技術が欠かせないものになります。例えば、電気自動車のインバーターに使用することで、航続距離の延長と軽量化が実現可能になります。さらに、再生可能エネルギー分野でも、高耐圧インバーターの製造に役立つことが期待されています。

縦型GaNの利点



vGaNの特長としては以下の点が挙げられます:
1. 高い電力密度:より小型で高い電圧と大電流を処理可能。
2. 優れた効率:エネルギー変換時の損失を低減。
3. コンパクトな設計:スイッチング周波数の向上により受動部品の小型化を実現。

より広がる応用範囲



この技術は、他にも様々な分野での利用が見込まれています。
  • - 充電インフラ:高速かつ堅牢性の高い充電器の開発が進む。
  • - エネルギー貯蔵システム(ESS):バッテリーコンバーターやマイクログリッドでの利用。
  • - 産業オートメーション:モータードライブやロボティクス向け。
  • - 航空宇宙、防衛:より高性能でコンパクトな設計が可能に。

今後の展開



オンセミは現在700Vと1200Vのサンプルを準備中であり、これらのデバイスが世に出ることにより、さらなる技術革新が期待されます。電力の効率化は、今後の産業を支える重要な要因となるでしょう。

結論



エネルギー効率の重要性が増す中で、オンセミのvGaN技術がもたらす可能性は計り知れません。AIや電動化の進展が期待される未来において、この半導体は非常に重要な役割を果たすことになるでしょう。エネルギーの新たな時代を切り拓くこの技術に注目が集まります。


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会社情報

会社名
オン・セミコンダクター株式会社
住所
東京都品川区大崎2-1-1ThinkParkTower 6階
電話番号
03-6880-1777

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