次世代パワー半導体の結晶評価技術セミナー開催情報

次世代パワー半導体とその評価技術を学べるセミナー開催！

2025年9月29日（月）の午後、半導体業界における画期的なオンラインセミナーが開催されます。このセミナーでは、「次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向」がテーマです。

セミナーの詳細

- 主催: 株式会社シーエムシー・リサーチ
- 講師: 姚永昭氏（三重大学研究基盤推進機構半導体・デジタル未来創造センター教授）
- 日時: 2025年9月29日（月）13:30～16:30
- 形式: ZOOM配信（見逃し配信あり）

このセミナーでは、4H-SiCやGaN、β-Ga2O3といったワイドギャップ半導体の結晶評価に関する知識を得ることができます。特に、結晶中の欠陥がデバイス性能に及ぼす影響を理解するための重要な情報が提供されます。

受講料について

- 一般: 44,000円（税込）
- メルマガ会員: 39,600円（税込）
- アカデミック: 26,400円（税込）

受講料には資料と見逃し配信も含まれており、参加者にとって非常にお得な内容となっています。

息を飲むような半導体界の最新情報

セミナーでは以下の内容が学べます：

- 結晶の構造や結晶中の欠陥
- 欠陥の評価方法
- 欠陥のデバイスに与える影響

これからの技術者や研究者にとって、次世代半導体技術は避けて通れないテーマです。このセミナーでは、研究や業務に直結する貴重な知識を得られる貴重な機会です。

知識を深めるための質疑応答の時間も

セミナー終了後には、参加者からの質問に講師が応じる質疑応答の時間も設定されています。ぜひ積極的に参加して、自らの知識を深めていただきたいです。

申し込み方法

オンラインでの申し込みは、株式会社シーエムシー・リサーチの公式サイトから可能です。お申し込み後、視聴用のURLがメールで送付されます。

セミナーのプログラム

1. はじめに
- パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
- 結晶中の欠陥
- 欠陥評価手法とその適用範囲

2. 結晶評価手法
- エッチピット法
- 透過型電子顕微鏡
- 多光子励起顕微鏡
- X線トポグラフィー

3. デバイスの評価
- デバイス中の欠陥
- 欠陥の評価方法
- デバイスに与える影響

4. まとめ

この機会に最新の評価技術を学び、半導体研究の最前線に踏み込んでみませんか？ご参加をお待ちしております。