キヤノン、次世代半導体露光装置「FPA-6400ES6a」を発表

キヤノン、次世代半導体露光装置「FPA-6400ES6a」の革命

キヤノンは、2026年12月上旬に新たな半導体露光装置「FPA-6400ES6a」を市場に投入すると発表しました。この新製品は、メモリーやロジック向けの先端半導体製造に向けて高い生産性と業界最高水準の重ね合わせ精度を提供することが期待されています。

高まる半導体需要

近年、生成AI技術の急速な普及が影響し、先端半導体の需要が急増しています。そのため、より高い生産性を求められる中で、半導体露光装置はその役割がますます大きくなっています。特に、ウエハーの反りやゆがみなどの課題を解決することが重要で、新型装置の導入が待たれています。

FPA-6400ES6aの特長

新型「FPA-6400ES6a」は、1時間あたり最大400枚のウエハー露光を実現することで、従来の機種に比べてスループットが大幅に向上しています。さらに、業界最高水準となる4.0nmの重ね合わせ精度を持ち、これにより先端半導体の生産性向上に寄与します。

新しい技術の導入

この新モデルには、超高加速度ステージを採用し、駆動時間を大幅に短縮しました。また、画像アライメントシステムに新光源「Hi-ALS」を追加することで、アライメント計測波長を選択可能にし、多様な半導体製造プロセスに対応しています。さらに、700μmまでの反りの大きなウエハーに対しても拡大した吸着能力で対応可能です。