パワー半導体の基礎知識を学ぶ『はじめてのパワー半導体デバイス』が登場

パワー半導体デバイスの重要性と新刊の概要

2026年10月31日、株式会社近代科学社から新たに『はじめてのパワー半導体デバイス』が出版されることが発表されました。この本は、著者に岩室憲幸氏を迎え、パワー半導体の基礎から最新の技術までを解説する内容です。正方形のB5サイズで196ページに渡り、印刷版と電子版はともに2800円（税抜）で提供されます。

パワー半導体の役割とは？

近年、電動化の進展やフィジカルAIの普及、AIデータセンターの増設などにより、パワー半導体の役割はますます重要になっています。これらの技術環境において、電力供給の効率化や省エネルギー化が求められており、本書は大学や専門学校の学生、さらには企業の若手技術者にも対応しています。

この新刊では、pn接合やMOS構造といった基礎原理から始まり、MOSFETやIGBTの動作原理、SiCやGaNといったワイドバンドギャップ半導体の物性や技術プロセスについても詳細に解説しています。知識を体系的に学ぶことで、次世代の学術基盤を築くための助けとなることでしょう。

著者のプロフィール

著者の岩室憲幸氏は、早稲田大学で電気工学を専攻の後、米国での研究経験を経て、富士電機にてシリコンIGBTやSiCデバイスの研究開発を行ってきました。現在は筑波大学の教授として教鞭を執り、パワー半導体の設計や評価に関する豊富な経験を持っています。これまでに、パワー半導体に関する多くの専門書籍も刊行しており、その知識と経験が本書にも反映されています。

書籍の目次に見る充実の内容

本書の目次を見ると、さまざまなトピックが取り上げられていることが分かります。例えば、

- 第1章: パワー半導体の用途（EV、太陽光、AIデータセンターなど）
- 第2章: 半導体デバイスの基本原理について
- 第3章: デバイスの種類や特徴
- 第4章 - 5章: シリコンを用いたMOSFETとIGBTの詳細
- 第7章: ワイドバンドギャップ半導体の特長

これらの章を通じて、基本的な知識を深めることができ、パワー半導体技術に関する理解を深めるための体系的な道筋が示されています。

今後の期待

『はじめてのパワー半導体デバイス』は、将来の技術者や研究者にとって必携の教科書となることが期待されています。電力変換に関する基本的な理解を提供することで、進化する技術環境への準備を手助けする一冊です。

出版を通じた新たな知識の扉を開く本書を手に取って、今後の電動化社会の中での力強い一歩を踏み出しましょう。