新SiCショットキーダイオード
2026-01-21 09:20:04

トレックス・セミコンダクターが650V SiCショットキーバリアダイオードを発表!

トレックス・セミコンダクターの革新技術



東京・江東区に本社を置くトレックス・セミコンダクター株式会社は、最新の技術を駆使して新たな650V SiCショットキーバリアダイオード「XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズ」を開発しました。この製品は、特に突入電流およびサージ電流に対する高い耐性を持ち、様々なアプリケーションにおいて信頼性の高い電力変換を実現します。

製品の特長



高い耐圧性能



「XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズ」は650Vの耐圧を指定しており、さらに6A、8A、10Aといった複数の電流レンジに対応しています。これにより、多様な用途や設計条件に合わせて柔軟に選ぶことができます。

低逆回復特性



このシリーズは低逆回復特性を有しており、スイッチング損失を抑制することができるため、高効率な電力変換を実現します。また、性能指数(FOM)を小さく保つことで、全体的な損失を低下させ、高効率な動作が可能になります。

サージ順電流耐量の強化



さらに、本製品はサージ順電流 (IFSM)耐量が大幅に強化されており、過酷なサージ電流や突入電流が発生する環境下でも安定した操作を保証します。これにより、システム全体の信頼性も向上し、長寿命が求められる業界に適したソリューションを提供します。

高効率と高信頼性の両立



トレックスのSiCデバイスは、独自の高速スイッチング特性と低損失性能を持ち合わせています。このため、スタートアップや突入電流が発生する状況においても、余裕を持った設計が可能です。

幅広い用途



信頼性が重視される電源機器や白物家電、汎用インバータなどのアプリケーションにおいて、安心して利用できる製品です。これまでにない高効率と高信頼性を両立したシリコンカーバイド(SiC)技術を駆使した製品は、今後の市場において大きな変化をもたらすことでしょう。

パッケージ仕様



製品はパッケージTO-220ACで提供され、サイズは10.29 x 28.69 x 4.75 mmです。これにより、多様な設計ニーズに応えることが可能です。

まとめ



トレックス・セミコンダクターの新しい650V SiCショットキーバリアダイオード「XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズ」は、これまでの技術を一新し、さらに進化した電力変換を実現します。確かな信頼性と高効率を併せ持つこの製品は、エレクトロニクス業界において今後の主役となることでしょう。


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会社情報

会社名
トレックス・セミコンダクター株式会社
住所
東京都江東区豊洲6丁目4-34メブクス豊洲5F
電話番号
03-6222-2851

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