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マウザー、ロームの新製品RY7P250BMパワーMOSFETを入荷

マウザー・エレクトロニクス（以下、マウザー）は、新たにローム株式会社が製造したパワーMOSFET、「RY7P250BM」の取り扱いを開始しました。この新製品は、AIサーバやデータセンター、産業機器、そしてエネルギー貯蔵用途での48V電源システムに最適化されており、特にホットスワップ回路においてその真価を発揮します。

高効率と高信頼性を実現する新しいMOSFET

最近のテクノロジーの進展に伴い、生成AIや高性能GPUが普及しており、それに伴って電力効率や電流供給の要求が増しています。ロームの最新MOSFETであるRY7P250BMは、これらのニーズに応えられるように設計されました。入力すると、高電圧に対抗するための広範囲な安全動作領域（SOA）を備え、突入電流や過負荷から回路を堅実に保護します。

特筆すべきは、10msで16A、1msで50Aの電流供給が可能であることです。従来のMOSFETでは実現できなかった高負荷での安定動作を実現し、これによりシステム全体の信頼性と効率が大幅に向上しています。さらに、RY7P250BMは既存の設計と適合ができるため、従来のシステムをそのままで使用しつつ、モジュールを安全に交換することができます。

進化した基本仕様

本製品の基本的な仕様を見てみましょう。ドレイン-ソース間電圧（VDSS）は100V、ドレイン電流（ID）は±300A、電力損失（PD）は340Wと、数値的にも優れた性能を示しています。しかも、全てがコンパクトな8080サイズのパッケージに収められているため、省スペースでの実装が可能なのです。

また、低オン抵抗は業界でもトップクラスの1.86mΩ（VGS=10V、ID=50A、Tj=25°C）を実現しています。これにより、同じサイズ範囲の従来型広範囲SOA対応100V MOSFET（2.28mΩ）と比較すると、約18％もの低抵抗を達成しています。この効果により、ホットスワップコントローラ（HSC）やAIサーバに使用する際の電力損失と発熱を最小化することができます。

マウザーの豊富なリソース

マウザーは、グローバルな正規代理店として半導体や電子部品を広く提供し、特に新製品の取り扱いに力を入れています。従来の製品だけでなく、新しい技術や製品に関する情報も、幅広く提供しています。公式ウェブサイトでは、テクニカルリソースセンターや製品データシート、設計情報、エンジニアリングツールなども充実しています。

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まとめ

新しいRY7P250BMパワーMOSFETの取り扱いを開始したマウザー・エレクトロニクス。しっかりとした安全性と高効率を兼ね備え、今後の電子機器における重要な要素となりそうです。詳しくは、こちらのページをご覧ください。

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