ローム、グリーンイノベーション基金事業で技術目標を2年前倒し達成

ローム、グリーンイノベーション基金事業で技術目標を加速

ローム株式会社は、NEDOが推進するグリーンイノベーション基金事業において、 次世代デジタルインフラの構築 プロジェクトに取り組み、特に「8インチ次世代SiC MOSFET」の開発を通じて、技術目標を当初計画よりも2年早く達成しました。この成果は、高性能なパワー半導体の提供が必要とされる現代社会において、非常に重要な一歩といえます。

技術革新の背景

このプロジェクトの目的は、電動車や再生可能エネルギー、サーバー電源など、カーボンニュートラル実現に向けた省エネルギー化を推進することです。ロームは、特に次世代パワー半導体の高性能化を目指し、電力損失の大幅低減とコスト競争力の向上を図っています。これにより、同社は市場での競争力を強化し、持続可能な開発に貢献する方針です。

技術目標達成への道のり

8インチSiCデバイス製造ラインの構築

ロームは、8インチSiCデバイス製造ラインを筑後工場に構築しました。これにより、エピタキシャル成長技術と低オン抵抗化技術を確立し、これまでの製造プロセスからのコストダウンを実現しました。特に、SiCは製造が難しいとされる素材ですが、8インチ化とプロセス最適化により、その難易度を克服しました。

性能の実証

8インチSiC MOSFETデバイスを使用した動作条件下での電力損失評価が行われました。その結果、従来のSi IGBTデバイスに比べて、電力損失が50％以上低減されることが確認され、技術目標が達成されました。このデバイスが電力変換器に使用されることにより、エネルギーの効率化が図られることになります。