STマイクロエレクトロニクスが新たな30Vパワートランジスタを発表！エネルギー効率が大幅向上

STマイクロエレクトロニクスが新しい30Vパワートランジスタを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM）が、パワー半導体市場での地位をさらに強化するべく、最新の30V表面実装型パワー・トランジスタを発表しました。この新しいトランジスタは、最大2mΩという低オン抵抗を実現しており、コンピュータや通信、ネットワーク機器の電力効率を大幅に向上させることが期待されています。

新しいパワー・トランジスタは、業界最高の出力密度を誇り、特に高いセル密度を確保するために最先端のSTripFET（TM) VI DeepGATE（TM)プロセスが採用されています。このプロセスにより、RDS(ON)は前世代と比較して約20％も改善され、効果的なチップサイズに対する性能が飛躍的に向上しています。これにより、スイッチング・レギュレータやDC-DCコンバータに小型の表面実装型パワー・パッケージを使用可能となり、デバイス全体のサイズ縮小に貢献します。

特徴的な点は、ゲート電荷量が低いため、設計者がより高いスイッチング周波数を用いることができるようになったことです。この利点は、受動部品（インダクタやコンデンサなど）をさらに小型化し、全体的な設計の効率を改善します。これにより、電力効率と出力密度を改良した製品の市場参入が促進されるでしょう。

STは、多様な業界標準パッケージを提供しています。具体的には、SO-8、DPAK、PowerFLAT（TM）（5x6mmおよび3.3x3.3mm）、PolarPAK（R）、スルーホールIPAK、SOT23-6Lが含まれており、既存のパッドや端子レイアウトを変更することなく、対応することが可能です。これにより、設計者は新しい製品から利益を迅速に得られ、市場機会を最大化することが可能となります。

新しいプロセスを採用したデバイスの中でも注目すべきは、STL150N3LLH6です。このデバイスは、PowerFLATパッケージ（5x6mm）に実装され、面積対RDS(ON)で最高の性能を発揮します。さらに、DPAKパッケージにエンジニアされているSTD150N3LLH6のRDS(ON)は2.4mΩとされています。

現在、両製品はサンプル提供中で、量産は2009年6月に開始予定です。価格については、STD150N3LLH6は約1.20ドル、STL150N3LLH6は約1.50ドルで、各2500個の購入を想定しています。特にPolarPAK（R)という名称は、VISHAY/SILICONIX社の登録商標です。

この新製品の登場により、STマイクロエレクトロニクスはさらなる市場拡大を目指し、エネルギー効率の向上に貢献していくことでしょう。