次世代パワー半導体SiCに迫る！技術動向とビジネスの未来を探るセミナー

次世代パワー半導体SiCに関するセミナー開催

2025年2月7日（金）、日本計画研究所（JPI）は筑波大学の岩室憲幸教授を迎え、「次世代パワー半導体SiC」についてのセミナーを開催いたします。このセミナーでは、最新の技術動向やビジネスチャンスについて詳しく解説されます。

セミナーの概要

自動車の電動化が進む中、次世代パワー半導体はその重要性をますます増しています。特に、SiC（シリコンカーバイド）デバイスは高い期待が寄せられています。しかし、現在もシリコンパワー半導体が市場を支配しているのが実情です。これは、SiCデバイスが市場の要求に応じた性能、信頼性、価格を満たしていないからとされています。

このセミナーでは、SiCパワー半導体がどのように市場の期待に応えるか、最新の動向をわかりやすく丁寧に解説していきます。岩室教授は、自身の豊富な知識と経験をもとに、具体的な技術と今後の展望を提供します。

講義のポイント

1. パワー半導体の基本
- シリコンパワー半導体の特徴とその利点・欠点
- 次世代パワー半導体開発の現状

2. SiCパワー半導体の現状と課題
- SiCがなぜ新しい材料として注目されているのか
- 技術開発によるコストダウンの取り組み
- 信頼性の向上に向けた課題
- 実装技術の進展

3. 質疑応答
4. 名刺交換・交流会

この交流会では、普段のビジネスで交わることのない人々と名刺交換を行い、ネットワーキングの機会を得ることができます。また、参加できなかった方のために、アーカイブ配信も行われるため、後日ゆっくりと内容を振り返ることも可能です。