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SEMICON Japan 2025に見る東レの最先端技術

2025年12月、東京ビッグサイトで開催される「SEMICON Japan 2025」に、東レリサーチセンター及びその関連会社が共同で出展します。本展示会では、最新の半導体デバイスや電子材料に関する分析技術が、業界関係者に向けて紹介されます。ブース番号は東展示棟小間番号E4908番。

出展内容概要

出展内容には、多岐にわたる新技術や材料評価の方法が含まれています。特に注目すべきは、プロセス評価やデバイス評価の分野での革新的な手法です。

1. 新規導入装置と独自の分析技術

• - ICON-IRによる接着界面分析
• - ESR法を活用したSiN膜中の欠陥定量
• - マイクロRBSを使用した3次元構造物の薄膜評価
• - HAXPESによるGaNの元素組成と化学状態の分析
• - STEM, CL, DLTSによるGaN-HEMTの欠陥解析

これらの技術は、最先端の半導体デバイスの開発において、非常に重要な役割を果たします。

2. 材料評価・分析

展示では、同位体ガスを用いたデバイス材料のガス浸透性評価や、半導体材料のラマン分析における最適装置選択も注目されるポイントです。また、Low-k材料として知られるSiOC薄膜に対する膜質評価も行なわれます。

3. プロセス評価と最適化

• - ALD-SiN膜の初期構造解析
• - カソードルミネッセンス法によるSiパワーデバイスの評価
• - トレンチ構造の粗さ評価
• - ハイブリッド接合プロセスの界面分析
• - 半導体封止用樹脂の熱硬化挙動解析

この分野での東レの専門性は、多くの企業にとって頼もしい存在となることでしょう。

4. デバイス評価・開発支援

実装材料の熱特性評価や、先端通信デバイス開発を支援するルミネッセンス分析、さらにマルチイオン種プラズマFIBによる半導体デバイスの観察も提供されます。

5. マッピング・可視化

SiC結晶中のNイメージ評価など、最新の分析ツールを使用して、さまざまなデータの可視化を試みる内容も含まれています。また、冷却昇温過程の熱ひずみ分布解析も行います。

6. 分析技術・前処理

EUVリソグラフィー用の高精度な材料分析や、耐熱性樹脂の高温加熱時のアウトガス分析など、先端技術を駆使した前処理技術も展示される予定です。

7. 分析とシミュレーションの統合

樹脂の熱硬化過程におけるフィラーの影響を熱分析やMDシミュレーションで評価する取り組みも行なわれます。

8. グローバル市場向けサービス

欧州や中国で展開される東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け分析サービスが紹介され、国際的な協力関係も強化されます。

9. 関係会社・提携会社の機能

超純水の管理や電子デバイス測定に関する新たな示唆が提供され、さまざまな分野に対応できる総合的な解決策が見込まれます。

最後に

「SEMICON Japan 2025」は、半導体業界における最新技術を一堂に会する貴重な機会です。その他にも、展示内容は変更される可能性がありますので、最新情報は公式ウェブサイトをご確認ください。ぜひ、東レブースにお立ち寄りいただき、最先端の技術を体験してください。

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