FLOSFIA、酸化ガリウムパワー半導体の量産化を実現し日本の半導体産業を支援

FLOSFIA、酸化ガリウムパワー半導体の量産化技術を確立

京都市に本社を構える株式会社FLOSFIAは、世界で初めて酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）パワー半導体の量産化技術を大幅に前進させました。特に、4インチウェハの製造技術において実証を完了し、製品信頼性の向上対応も果たしました。この技術進展は、グローバルなコスト競争が激化する中、日本の半導体産業が直面する構造的課題を解決する大きなステップとなります。

競争が激化するSiC市場

現在、次世代のパワー半導体市場ではSiC（炭化ケイ素）産業が主流ですが、EV（電気自動車）需要の減速や中国のメーカーによる急激な投資により価格競争が激化しています。技術力において優位性を保つ日本メーカーとはいえ、構造的な高コスト体質が災いし、競争力を失いつつあるのが現状であり、日本の半導体産業の「第二の敗北」が懸念されています。

新素材パワー半導体市場の急成長

それでも、新素材を利用したパワー半導体市場は今後急成長が見込まれています。生成AIの普及によりデータセンターの電力消費が急増し、環境への配慮が求められる今、電力変換効率を大幅に向上させることが急務です。シリコン以外のパワー半導体市場は今後10年間で年平均成長率約20%を記録し、2035年には市場規模が約3兆5,000億円に達すると予想されています。

量産化成功の成果

FLOSFIAは量産化の重要な技術的ブレークスルーを実現しました。具体的には、4インチウェハの製造技術を2025年までに実証する予定を前倒しで達成したことが大きな成果です。この技術により、従来のSiC基板に対する利点が突出しており、広く供給可能なサファイア基板を使用することで基板コストを最大50分の1まで削減できます。このように、コスト競争において圧倒的な優位性を確立しています。