STマイクロエレクトロニクスが新型ゲートドライバを発表、パワー設計を簡素化

STマイクロエレクトロニクスが新型ゲートドライバシリーズ「STGAP3S」を発表

STマイクロエレクトロニクスは、先進的なガルバニック絶縁技術を用いた新しいゲートドライバシリーズ「STGAP3S」を発表しました。この新製品は、パワー設計を簡素化し、効率的な回路設計を可能にすることを目的としています。特に、信頼性向上を目指して設計されたこのシリーズは、より低い駆動電流が必要とされるアプリケーションに最適です。

STGAP3Sファミリの特長

「STGAP3S」ファミリは、SiC（炭化ケイ素）MOSFET用の「STGAP3S3S」とIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）用の「STGAP3S3IF」から成り立っており、高い電圧レールに対応したドライバです。すべてのドライバは最大1200Vで動作し、UL 1577やIEC 60747-17等の認証を取得しているため、安全性にも優れています。

主な用途には、充電ステーション、エネルギー貯蔵システム、太陽光発電用インバータや産業用電気自動車、さらには誘導加熱装置、大型ポンプ、ファンなどが含まれています。これにより、多様な産業界での応用が期待される製品となっています。

安全性と効率性

このシリーズは、最先端のガルバニック絶縁技術によって、最大9.6kVの過渡電圧からパワー段回路を保護します。また、最大200V/nsのコモン・モード過渡耐性（CMTI）も有しており、過酷な環境下でも信頼性を確保しています。

ドライバは、最大駆動電流がそれぞれ10A、6A、そして新たに3Aの3つのシリーズで構成され、各シリーズにはIGBT向けとSiC MOSFET向けに最適化された種類が用意されています。特に新しい「STGAP3S3」シリーズは、アクティブ・ミラー・クランプ回路を内蔵しており、意図しないターンオンを防ぎ、全体の回路設計を簡素化します。

簡素化された設計

「STGAP3S」シリーズは、部品点数の削減と基板面積の縮小を実現しながら、また、最大3Aのゲート駆動に適したクランプ性能の大幅な向上を提供します。特に6Aと10Aのシリーズは外付けMOSFET用のプリドライバを統合,より高いゲート駆動電流が必要なシステムに大いに貢献します。

さらに、すべてのドライバにはソフト・ターンオフ機能を持つ非飽和（DESAT）検出機能が備わっており、過負荷や短絡時の保護を強化しています。これにより、システムの安全性が一層高められます。

評価ボードの提供

この新シリーズの開発を支援するために、評価ボードも提供されています。「EVLSTGAP3S3S」および「EVLSTGAP3S3IF」は、保護機能が事前設定されたハーフブリッジ評価ボードで、開発者が簡単にテストを行えるように配慮されています。

IGBTおよびSiC MOSFET駆動向けのSTGAP3Sファミリは、現在量産中で、製品はSO16Wワイドボディ・パッケージで提供され、1,000個購入時の単価は約1.93ドルです。これにより、コストを抑えた効率的な設計が可能となります。

STマイクロエレクトロニクスについて

STは、世界中の約49,000名の従業員と共に、包括的なサプライチェーンを持った総合半導体メーカーです。持続可能な社会への貢献を目指し、先端技術を駆使してさまざまな業界と連携し、革新的なソリューションを提供しています。特に、カーボンニュートラルの達成を目指し、2027年末までには再生可能エネルギーの使用率を100%にする計画です。さらに詳しい情報は、STの公式ウェブサイトでご確認ください。

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