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ヌヴォトンジャパンの新たな挑戦

ヌヴォトンテクノロジーは、業界最高クラスの出力を持つ紫外半導体レーザの量産を開始したことを発表しました。新型レーザは、直径9.0mmのCANパッケージ内で1.0Wの光出力を実現し、波長は379nmで、先端半導体パッケージのマスクレス露光技術において重要な役割を果たします。

技術的背景と革新

紫外半導体レーザは、特に最近のAI技術の進化や半導体業界の高度な情報処理能力の需要のために、さらなる高性能化が求められています。しかし、その一方で、トランジスタの微細化には限界が近づいています。そこで、複数の半導体チップを並べて配置したり、垂直方向に重ねて密集化する新たなパッケージ技術が注目されています。

従来の技術では、配線を形成する際には水銀のスペクトル線である365nmを使用したi線と呼ばれるフォトマスクを利用していました。しかし、フォトマスクを使用しないマスクレス露光技術が注目を集めており、これにより設計データに基づいて直接配線パターンを形成できるという利点があります。一方、この新たな技術における主要な光源として、高出力かつ短波長の半導体レーザが必要とされています。

新製品の特長

新たに量産が始まった1.0W紫外半導体レーザは、自己発熱や短波長光の影響を受けやすい紫外線半導体レーザの課題を解消するために、独自のデバイス構造と高効率な放熱パッケージ技術を採用しています。この革新により、安定した高出力動作が可能となり、光学装置の長寿命化にも寄与します。

1. 高出力と微細化

波長379nmでワットクラスの出力1.0Wを達成し、マスクレス露光技術における生産スループット向上に大きく貢献します。

2. 放熱効率の向上

特別なデバイス構造により、光の吸収損失を抑え、電気エネルギーを効率的に光に変換することが可能です。さらに、高熱伝導材料をが用いられたパッケージ設計により、素子の温度上昇を抑制し、高出力での安定した操作を実現しています。

3. 柔軟な製品選択肢

この製品はヌヴォトンテクノロジーによる水銀灯の代替ソリューションのラインナップに新たに加わるもので、多様な用途に応じた柔軟な製品選定が可能です。これにより、システム設計の自由度が向上し、さまざまな設置環境に対応できるようになります。

展示会出展について

新製品は、2026年にアメリカ・サンフランシスコで開催される『SPIE Photonics West 2026』及び日本・横浜の『OPIE’26』において展示されます。最新の技術を体感したい方々をぜひブースにお迎えしたいと思います。

まとめ

ヌヴォトンテクノロジーは、半導体業界に革命をもたらす新たな技術を導入し、今後の成長を見込んでいます。この1.0W紫外半導体レーザは、さまざまなビジネス分野で活躍することが期待されており、業界の進化に寄与する存在となるでしょう。

関連リンク

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Wiki3: 紫外レーザ 半導体レーザ ヌヴォトン