エジソンメダル受賞者が語るパワー半導体の未来

未来のパワー半導体を考える

2025年7月15日、業界の最前線を行くセミナーが開催されます。ストックマーク株式会社が主催するこのオンラインイベントでは、エジソンメダルを受賞した松波弘之教授が登壇し、SiC（炭化ケイ素）を用いたパワー半導体の最新の開発状況と未来の展望について語ります。

セミナーの目的

本セミナーの中心テーマは、SiCパワー半導体が果たす役割と、それがどのように次世代インフラやエネルギー技術に貢献するかです。グリーンイノベーションの推進が求められる中、SiCはその特性から注目を集めています。特に高電圧や高速スイッチング、さらに高温環境での動作が可能であり、従来のシリコン製のパワー半導体に比べて大幅な性能向上が期待されています。

SiCパワー半導体の重要性

パワー半導体は、現代の電力制御や変換技術において不可欠な存在です。特に、SiCを利用することで、エネルギー効率が向上し、環境負荷が軽減される可能性があります。経済産業省やNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）さえも、この分野に積極的に研究支援を行っていることからも、その重要性が伺えます。

このセミナーでは、松波教授がこれまでの研究成果をもとに、SiCパワー半導体の実用化に向けた課題や取り組みについて具体的な事例を交えながら解説します。パワー半導体の未来に関心を持つ皆様にとって、貴重な情報源となることでしょう。

松波弘之教授の経歴

松波弘之教授は、京都大学工学部での学びを経て、世界的に著名な研究者としての道を歩んできました。特に彼がエジソンメダルを受賞した背景には、パワー半導体の研究における独自の貢献があります。京都先端科学大学において特任教授を務める彼の講演からは、最新の研究動向や未来の展望についてわかりやすく学べるでしょう。