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次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化セミナーのご案内

2024年10月16日（水）、10:30から16:30まで、シーエムシー・リサーチ主催のセミナー「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」がライブ配信で開催されます。講師には筑波大学の岩室憲幸教授を迎え、分かりやすく最新の技術動向とその課題について解説していただきます。

セミナーの概要

このセミナーでは、次世代自動車とデータセンタの進化における重要な役割を担うハイパフォーマンスなSiC/GaNパワーデバイスについて、技術的側面と市場動向を探ります。また、参加者には質疑応答の時間も設けられるため、興味のある点を直接講師に質問するチャンスとなります。

受講費用

• - 一般：55,000円（税込、資料付き）
• - メルマガ会員：49,500円（税込）
• - アカデミック価格：26,400円（税込）

申し込みはシーエムシー・リサーチのウェブサイトから可能です。事前に視聴用のURLがメールで送信されますので、ぜひ参加の準備を整えてください。

セミナーで学ぶ内容

セミナーでは、以下のトピックについて詳しく解説が行われます。

• - データセンタ用電源や電動車両（xEV）におけるパワーデバイスの利用方法
• - Si, SiC, GaNデバイス全般の最新動向
• - 各デバイスの設計、プロセス技術、特性の進展

対象となる受講者

このセミナーは、以下のような職種の方々を対象としています。

• - パワーエレクトロニクス開発担当者
• - パワーデバイス開発担当者
• - パワーエレクトロニクス機器販売
• - パワーデバイス販売担当者

セミナープログラムの詳細

1. パワーエレクトロニクスとは？
- パワーデバイスの概要や適用分野について

2. 最新シリコンパワーデバイスの進展
- IGBTやMOSFETの特性改善や開発ポイント

3. SiCパワーデバイスの現状
- SiCデバイスの特性や普及に向けた課題

4. GaNパワーデバイスの現状
- GaNデバイスの構造、強み、弱み

5. 高温対応実装技術
- SiC-MOSFETモジュール開発における重要性

講師紹介

岩室憲幸教授は、長年の研究開発の経験を持ち、特にIGBTやWBGデバイスに関する研究に従事してきた実績があります。多数の著書も執筆しており、パワー半導体の分野で広く知られる専門家です。

申し込み方法

本セミナーの参加をご希望される方は、シーエムシー・リサーチのウェブサイトからお申し込みください。詳細情報や他のウェビナーについても同サイトから確認することができます。

このセミナーは、次世代の技術やトレンドを理解し、業界の最新情報を得る絶好の機会です。皆様のご参加をお待ちしています！

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