キヤノンが開発した新技術で半導体製造が変わる！

キヤノンが実用化した先端半導体製造の新技術

日本の技術革新がまた一つ新たなステージへと進化しました。キヤノンが開発を手掛けた「Inkjet-based Adaptive Planarization」（IAP）技術が、ウエハー（半導体基板）の平坦化において世界初の実用化に成功したのです。この新技術は、先端半導体製造における品質向上と効率化を実現するもので、今後の製造業界に大きなインパクトを与えることが期待されています。

半導体製造における平坦化技術の重要性

半導体製造プロセスでは、成膜や配線など、複数の工程が重なり合いますが、その中でウエハーの表面に出来る微細な凹凸を均等に整える「平坦化工程」が特に重要です。この平坦化が不十分であると、製品の歩留まりや生産性に悪影響を及ぼす可能性が高まります。

最近の半導体製造では微細化や3D技術が普及しており、わずかな凹凸がさらなる誤差を引き起こすため、より高精度な平坦化技術が求められるようになりました。従来の平坦化技術であるスピンコートやCMP（Chemical Mechanical Polishing）はそのコストや工程の複雑さから、改善が求められる状況にあります。

IAP技術の革新

今回キヤノンが開発したIAP技術は、インクジェット方式で平坦化材料を塗布し、適切な凹凸に対して最適に配置する手法を採用しています。具体的には、ウエハーに樹脂を塗布した上で、回路パターンを刻んだマスクを押し当てることで、凹凸を均一に整えていくという方法です。この技術によって、直径300mmのウエハー全面を一度の押印で均等に平坦化し、目に見えない5nm以下の凹凸を実現することが可能になります。これにより、後続工程においても必要とされる均一な層構造を確保できるのです。

キヤノンは、このIAP技術を2027年中に商業化するという目標を掲げており、半導体業界の生産性向上に貢献することを目指しています。既に2023年には、半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発表しており、これが新たな技術の展開の第一歩とされています。

今後の展望

キヤノンは、半導体業界の変革に向けて引き続き研究開発を進め、特に次世代のデバイス製造やプロセス技術に対する挑戦を続けています。2026年には、サンノゼで開催予定の「SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference」においてIAP技術の初期段階での実用化成果を発表することも予定されています。

その結果、キヤノンがもたらす新たな技術が、半導体製造の現場において当たり前の存在となり、未来のデバイス技術を支える重要な柱となることでしょう。今後のキヤノンの歩みから目が離せません。