株式会社ヘテロスタックス、リアルテックファンドによる資金調達を実施

株式会社ヘテロスタックス、画期的な資金調達を発表

東京都千代田区に本社を構える株式会社ヘテロスタックスが、UntroD Capital Japan株式会社が運営するリアルテックファンドから第三者割当増資を受けることを発表しました。この資金調達により、ヘテロスタックスは、新しい異種接合型パワー半導体デバイスの研究開発を加速する考えです。

資金調達の目的

今回の資金調達で得られる資金は、シリコン(Si)とシリコンカーバイド(SiC)を直接接合したパワー半導体デバイスの開発促進に利用されます。これにより、AIデータセンターで急増する電力需要に対応しつつ、電力変換損失を低減し省エネルギー化を進めることが可能となります。これによって、持続可能なデジタル社会の実現に寄与する意向を示しています。

ヘテロスタックスの企業概要

ヘテロスタックスは、大阪公立大学から発信されたスタートアップ企業であり、異なる半導体材料を直接接合する「異種接合アーキテクチャ」を提供しています。この技術は、従来の単一材料デバイスでは難しかった低損失化や高信頼性、低コスト化の実現を目指しています。

今後、生成AIの普及やクラウドサービスの拡大に伴い、データセンターの電力消費量は増加することが予想されています。さらに、EVや再生可能エネルギーの普及により、効率的な電力変換が求められる時代が到来しています。このような背景の中、ヘテロスタックスのパワー半導体は、次世代の電力効率を向上させるための鍵を握っています。

具体的な製品

その中でも、シリコン（Si）の特性とシリコンカーバイド（SiC）の特性を組み合わせたトランジスタ「SABFET™」とダイオード「JGSD™」が注目されています。これらのデバイスは、中・高耐圧領域での電力変換損失の低減に貢献し、データセンターの電源管理を効率的に行うことが期待されています。

代表取締役CEOの佐々木公平氏の展望

代表取締役CEOの佐々木公平氏は、次世代半導体材料やデバイスの研究において豊富な経験を有し、これまでに国家プロジェクトの推進や事業化を手掛けてきました。そのため、ヘテロスタックスは、異種材料接合技術とパワー半導体デバイス設計の蓄積した知見を活かし、AIや電動化社会における電力課題を解決していくことを目指しています。

今後の展望と注目点

今回の資金調達に基づき、今後はJGSD™の高耐圧性能の実証や異種接合技術の高度化、さらにはSABFET™の技術確立を進めていくとともに、研究開発体制の強化にも努めていく方針です。

そして、UntroD Capital Japan株式会社の取締役である山家創氏は、パワー半導体がAIや電動化社会において電力効率を左右する重要な技術であるとし、ヘテロスタックスのアーキテクチャには、克服すべき可能性が秘められているとコメントしています。

ヘテロスタックスは、革新的なパワー半導体アーキテクチャを世界へ展開することを目指し、リアルテックファンドの支援を受けてこれからの成長に期待が寄せられています。

※SABFET™およびJGSD™は株式会社ヘテロスタックスの商標です。
公式サイト：ヘテロスタックス公式サイト
お問い合わせ先：株式会社ヘテロスタックス
担当：佐々木公平
* E-mail：[email protected]