次世代パワー半導体に迫る！結晶欠陥評価セミナーの詳細

半導体技術の未来を探るセミナー

光通信、電気自動車、さらには再生可能エネルギーの普及など、現代社会において半導体技術の重要性が増しています。それに伴い、次世代パワー半導体の研究開発も加速しています。2025年11月18日に予定されているシーエムシー・リサーチ主催のセミナー「次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向」では、この分野の最新情報が一堂に会する貴重な機会が提供されます。

セミナーの概要

このセミナーでは、三重大学の姚永昭教授が講師を務め、今日の半導体業界において多くの注目を集めているワイドギャップ半導体について深く掘り下げます。新しいパワーデバイスは、4H-SiCやGaN、β-Ga2O3などの材料を使用しており、従来の半導体に比べて高電力密度、低損失、高温での安定性を誇ります。

しかし、これらの材料は強い共有結合を持つため、結晶成長が難しく、結晶中には格子欠陥が多く含まれます。これらの欠陥の一部はデバイスの性能や信頼性に直接的な悪影響を与えるため、欠陥の評価と特定が極めて重要です。本セミナーでは、これらの評価技術やその最新の研究成果について詳細に解説します。

セミナーの目的と内容

学べる知識

参加者は、以下の内容を学ぶことができます：

- 半導体結晶の構造
- 結晶中の欠陥の種類
- 欠陥の評価に用いる手法
- デバイスに与える欠陥の影響

セミナー対象者

本セミナーの対象者は、半導体結晶の欠陥評価に関わる研究者や技術者です。現場での応用を視野に入れた内容で、理論と実践の両面から理解を深めることができます。

受講料と申込方法

受講料は一般44,000円（税込）、メルマガ会員は39,600円（税込）、アカデミック向けには26,400円（税込）と、それぞれのニーズに応じた価格設定となっています。申し込みはシーエムシー・リサーチのウェブサイトから可能で、参加者には視聴用URLがメールで通知されます。

講師紹介

姚永昭教授は、三重大学の半導体・デジタル未来創造センターに所属し、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に長年貢献してきた専門家です。博士課程を経て数々の研究機関を経た後、現在は教授として教育と研究の最前線に立っています。

今回のセミナーは、最新の半導体技術が生まれる現場を体感できるまたとない機会です。興味のある方はぜひご参加ください。