パテンティクス、次世代半導体開発で経済産業省「Go-Tech事業」に採択！世界初の実用化目指す

パテンティクス株式会社は、この度、令和6年度の「経済産業省成長型中小企業等研究開発支援事業（Go-Tech事業）」に採択されました。同社は、「世界初の次世代半導体二酸化ゲルマニウムの実用化に向けたバルク結晶開発」を研究開発テーマとして応募し、その革新性と潜在力が高く評価されました。

次世代半導体「二酸化ゲルマニウム」とは？

二酸化ゲルマニウム（GeO2）は、4.6eVという非常に大きなバンドギャップを持つ物質です。これは、従来のシリコン半導体（1.1eV）の約4倍に相当し、高効率なエネルギー変換や高性能な電子デバイスの実現が期待されています。さらに、二酸化ゲルマニウムはn型、p型の両方の伝導特性を持つことが理論的に予測されており、従来の半導体では実現できなかった新しい機能を持つデバイス開発の可能性も秘めています。

本事業で目指すもの

本事業では、二酸化ゲルマニウムの社会実装に向けた第一歩として、世界最大となるセンチメートル級の大型結晶の開発を行います。この大型結晶は、研究開発用途の基板として活用され、新たな半導体デバイスの開発を加速させることが期待されています。

パテンティクス株式会社の取り組み

パテンティクス株式会社は、長年培ってきた結晶成長技術を駆使し、二酸化ゲルマニウムの大型結晶開発に挑戦します。同社は、本事業を通じて、次世代半導体分野におけるイノベーションを牽引し、日本の産業競争力強化に貢献することを目指しています。

今後の展望

パテンティクス株式会社は、本事業を通じて、二酸化ゲルマニウムの研究開発を加速させ、早期の実用化を目指します。将来的には、二酸化ゲルマニウムを用いた次世代デバイスが、エネルギー、医療、情報通信など様々な分野で活用されることを期待しています。