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新しい薄膜トランジスタ製造プロセス

工学院大学の相川慎也教授が開発した新しい技術が、薄膜トランジスタの製造方法を根本から変える可能性を秘めています。この技術は、UV照射と静置によって酸化物薄膜トランジスタ（酸化物TFT）を形成し、高温での熱処理やオゾン処理を行うことなく、その電気特性を改善するものです。

室温プロセスが開く新たな可能性

これまで、酸化物TFTの製造には、高温での熱処理が必須とされていました。そのため、使用できる基板材料は限られており、デバイス設計の自由度を損なっていました。しかし、相川教授の新技術は、わずか30℃未満の室温でプロセスを行うことができるため、耐熱性の低いフレキシブル基板などの使用が可能となります。

加えて、この方法は空気中で処理できるため、特別なガス供給装置を必要とせず、撹拌や処理の手間が大幅に軽減されています。

フレキシブルデバイスへの期待

新しい技術の用途として期待されるのは、フレキシブルディスプレイ、太陽電池、タッチパネル、センサーなどです。また、DRAMなどに用いられる半導体積層プロセスの低温化も期待されており、幅広い産業分野へ展開する可能性があります。

特許情報

相川教授とそのチームは、この新技術に関して、特許を出願しています。発明の名称は「薄膜トランジスタの製造方法」であり、相川教授と山寺真理氏が発明者として名を連ねています。

出願番号は特願2025-021797および特願2024-146809となっており、技術者や企業関係者からの注目が集まっています。

大学見本市での発表

この重要な技術は、2026年8月27日・28日に東京ビッグサイトで開催される『大学見本市2026～イノベーションジャパン』で紹介されます。主催は国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）で、入場料は無料です。

相川教授の発表は、8月28日の13:50から行われる予定です。興味のある方はぜひ足を運び、最先端の研究成果を直接確認してみてください。

この技術が実用化されると、様々なデバイスに革新をもたらす可能性があり、さらに多くの材料選択肢が開けることで、デバイス設計の自由度が向上します。これにより、今後の産業全体の技術発展に寄与することが期待されています。

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