SiCパワーデバイス市場：今後の成長と企業動向を分析

SiCパワーデバイス市場の現況と未来

SDKI Inc.による最新の調査報告書が、SiCパワーデバイス市場の2026年から2035年までの予測を明らかにしました。市場の成長要因、課題、そして近年のトレンドがどのように影響するかを詳しく見ていきます。

市場の成長予測

SiCパワーデバイス市場は、2025年に約29.2億米ドルの規模を持ち、2035年までに80.5億米ドルに達すると期待されています。また、この期間中は年平均成長率（CAGR）が約10.4%に達する見込みです。この成長は、電気自動車やデータセンター、再生可能エネルギーシステムなど、多様な分野での高エネルギー効率なパワーエレクトロニクスの需要拡大に起因しています。

例えば、2026年には、RISEが次世代のSiCを基にしたパワーエレクトロニクスの開発に向けて大規模な投資を行うことを発表しています。これにより、SiCパワーデバイスの市場成長が一層促進されることでしょう。

市場のセグメンテーション

市場は自動車、再生可能エネルギー、産業製造、航空宇宙、防衛、民生用電子機器といった分野に分けられます。特に、自動車産業はEVやハイブリッド車の普及によって、2026年から2035年にかけて約40%の市場シェアを占めると予測されています。これに伴い、800Vの車載アーキテクチャの導入やEV充電インフラの整備が進むことでしょう。

地域別の市場動向

北米はEV普及率の高さと充実したインフラにより、今後大きな市場シェアを占める見込みです。特に、アメリカとカナダでは再生可能エネルギーや電力網の近代化への投資が急速に進んでいます。一方、日本では車載用パワーエレクトロニクスのSiCデバイス導入が進んでおり、予測期間中に急速な市場成長が見込まれています。

市場の主要プレーヤー

調査では、SiCパワーデバイス市場の主要企業として、Wolfspeed、ON Semiconductor、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Microchip Technologyなどが挙げられます。日本市場においては、ROHM、Toshiba Electronic Devices & Storage、Fuji Electricなどが主要なプレーヤーとされています。

最近の動向として、業界内では競争が激化しており、企業は新技術開発に多くの投資を行っています。特にWolfspeedは新型1200V SiC 6パックパワーモジュールの導入に成功していますし、Toshibaも第3世代のSiC MOSFETチップを発表しました。