国内初の6インチp型SiCウエハを展示！未来の半導体材料の進化

国内初公開の6インチp型SiCウエハ

名古屋大学の研究グループが、先進的な溶液成長法を用いた6インチp型シリコンカーバイド（SiC）ウエハを開発し、2025年12月に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON Japan 2025」にて、国内初の展示を行います。この技術は、電気自動車や再生可能エネルギーシステムなど、次世代のパワー半導体材料として注目を集めています。

溶液成長法とAI技術を駆使した革新

今回の研究開発は、株式会社オキサイドパワークリスタルやマイポックス株式会社、名古屋大学などのコンソーシアムメンバーによって推進されました。特に、溶液成長法を基盤技術とし、AI技術のデジタルツインを活用してプロセスの最適化を行うことで、高品質なp型SiCウエハの試作に成功しました。これにより、従来の手法に比べ、結晶の欠陥が少なく、優れた性能を持つパワー半導体の実現が期待されます。

SiC材料の重要性と今後の展望

SiCは、次世代のパワー半導体として期待され、特に電気自動車や大規模データセンター向けの電源システムにおいてその需要が増しています。現在、多くの企業や研究機関がこの材料の開発に取り組んでおり、ウエハの大口径化と品質向上が求められています。オキサイドパワークリスタルは、NEDOのグリーンイノベーション基金に基づくプロジェクトの一環として、先進的な研究を推進し続けています。

SEMICON Japan 2025での展示内容

展示では、6インチp型SiCウエハに加え、6インチと8インチのn型SiCウエハも紹介される予定です。これらは溶液成長法で得られた大口径・低欠陥のSiC結晶を用いており、次世代社会のインフラを支える新たな材料として期待されています。会場はマイポックス株式会社のブース（小間番号：W3855）となっており、来場者は新技術の成果を直接見ることができます。

産業界におけるSiCの将来

これまでのイベントで大きな反響を得たp型SiCウエハを、いよいよ国内で公開することは、半導体産業における国の競争力を強化するための重要なステップです。オキサイドパワークリスタルとその協力企業は、AIデジタルツイン技術を駆使した新たな材料開発を進め、持続可能な社会の実現に寄与することを目指しています。今後もこのような先進的な取り組みが広がり、次世代の電力損失低減とカーボンニュートラル社会の実現に貢献できることを期待しています。