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文部科学省が発表した次世代パワーエレ電力システム開発の採択結果

文部科学省が進める次世代パワーエレクトロニクス事業

令和8年7月24日、文部科学省が「DX/GX両立に向けたパワーエレクトロニクス次世代化加速事業」の採択結果を発表しました。この事業は、次世代のパワーエレクトロニクス技術を産業に橋渡しするために重要な役割を果たすものとされており、特に窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスに焦点を当てています。

事業の背景と目的

このプロジェクトは、これまで文部科学省が進めてきた研究開発を基に、GaN技術の社会での実装を加速させ、産業界での実用化を目指しています。具体的には、残されたボトルネックを解消し、GaNパワーデバイスを用いた新しいパワーエレクトロニクス技術の迅速な社会導入を目的としています。

そのためのキーポイントは、以下の二つです：
1. ボトルネック解消: 重要な半導体技術であるイオン注入技術をGaNに適用し、超低損失デバイス構造の開発を行います。
2. GaNパワエレシステムの実証: AIや数理解析の技術を活用し、研究者がチームを組んで、GaNパワーデバイスの特性を最大限に引き出すための回路や受動素子を開発していきます。

審査結果の詳細

採択された研究プロジェクトは以下の通りです。

- テーマ1: GaNパワーデバイス作り込み技術

研究代表者: 須田淳（名古屋大学）
課題名: GaN縦型パワーデバイス先端プロセス技術の開発とデバイス実証

- テーマ2: GaNパワエレシステムトータルとしての実証

- 静止系電源システム
研究代表者: 伊東淳一（長岡技術科学大学）
課題名: AIを用いた物理起点バックキャスティングによるGaN適用超高密度SSTの研究開発

- 運動系電源システム
研究代表者: 赤津観（横浜国立大学）
課題名: GaNパワーデバイスとAI協調設計によるMHz級高周波電源アーキテクチャの創成

研究代表者: 芳賀仁（静岡大学）
課題名: 統合型エンジニアリングによる高出力密度GaNインバータ駆動モータの開発

審査のプロセス

このプロジェクトは、令和8年3月6日から4月16日の公募に基づき、6件の提案があり、厳正な審査の結果が反映されたものです。専門の審査委員会が設けられ、書面及び面接審査を通じて、採択結果が決定されました。

今後、この新たな技術がどのように産業界での実用化に寄与するかが期待されます。文部科学省は、研究者たちの活動を支え、これらのプロジェクトを通じて次世代パワーエレクトロニクスの発展を推進していく考えです。