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次世代半導体技術の最前線を探る！応用物理学会研究会開催のお知らせ

次世代半導体技術の最前線を探る！

2026年7月31日（金）、大阪公立大学にて「公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第32回研究会」が開催されます。冒頭に注目のテーマは「ウルトラワイドバンドギャップ半導体デバイス最前線」であり、参加者たちは最先端の技術動向について学ぶ貴重な機会となります。特に、Patentix株式会社の取締役CTO、松田慎平氏が登壇し、新しいパワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウムについて講演を行います。

ウルトラワイドバンドギャップ半導体とは？

昨今のカーボンニュートラル社会の実現に向けた取り組みが進む中で、電力インフラの効率性や省エネルギー性が求められています。この背景には、従来のワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）の限界を超える新たな技術、ウルトラワイドバンドギャップ（UWBG）半導体の研究が進められています。UWBG半導体は、非常に高い絶縁破壊電界を持ち、特に電力業界での利用が期待されています。

松田慎平氏の講演内容と意義

松田氏の講演は、2026年7月31日（金）16:20から17:05までの予定です。彼は、ルチル型二酸化ゲルマニウム基板とそのデバイスの研究開発に焦点を当てて、最新の進捗状況や、将来の社会実装について解説する予定です。この新しい材料は、効率的で持続可能なエネルギー利用を実現する一助となることが期待されています。

また、この講演を通じて、参加者は半導体デバイスの開発に関連する課題や可能性についての理解を深め、実際の研究に対する関心を高めることができるでしょう。