フローディア、TSMCプロセスにおける最先端メモリ技術を認定取得

フローディアがG1品質認定を発表

フローディアは最近、TSMCの130BCD PlusプロセスにおけるフラッシュIPコアの品質認定を完了したと発表しました。この認定を受けた新技術であるG1は、パワーマネジメントICやMCU（マイクロコントローラ）を単一のチップに集約することを可能にするもので、今後の電子機器の進化に寄与することが期待されています。

G1の技術的特徴

G1は、バイポーラ、CMOS、DMOSの三種類の回路を一つのチップに集積できるBCDプロセス技術を基にしています。このプロセスにより、高電圧・大電流の管理が可能で、スマートパワーマネジメントICとしての役割を果たします。そのため、BCDプロセス向けの不揮発性メモリの需要が高まっている中、フローディアのG1は特に注目されています。

G1の仕組みでは、SONOS型メモリセルを採用し、Fowler-Nordheim（FN）トンネリングを用いることでエネルギー効率を飛躍的に向上させています。この技術の利点としては、低電力での書き換え、コンパクトなIPサイズ、高いデータ保持性能、少ない必要マスク、短いテスト時間とベーク時間などが挙げられます。特に、SILC（ストレス起因漏れ電流）の影響を受けないため、データ保持性能の低下を防ぎ、信頼性の高いメモリを実現しています。

自動車電子制御における応用と利点

G1はモータードライバーICやワイヤレスチャージャーIC、USB電力供給ICに広く適用されており、特に自動車の電子制御ユニットにおいてその存在感が増しています。実際に、複数のディスクリート部品を使用していた回路を一つのチップに統合することで、プリント配線基板のサイズを60%削減し、重量も80%減少した事例が存在します。これにより、コストの削減とともに、設計にかかる時間も短縮されています。

フローディアの展望

フローディアの社長である奥山は、「弊社のG1技術は2011年の設立以来、スマートフォン向けICに使用されてきた。その後、多くのファウンドリやIDM、さらに車載チップにまで広がりました。今回のTSMC 130BCD Plusプロセスでの認定は、G1が長期にわたって期待されてきた技術であることを証明しています」と述べています。このような技術革新は、今後の半導体市場における競争力を高める要因となるでしょう。